Сино светло полупроводничка ласерска структура и принцип на работа

Во зависност од материјалот на активниот регион, ширината на јазот на опсегот на полупроводничкиот материјал на ласерот на полупроводници на сина светлина варира, така што полупроводничкиот ласер може да испушти светлина од различни бои. Активниот регион материјал на ласерскиот полупроводник на сина светлина е GAN или Ingan. Структурата на типичен ласер базиран на ГАН е прикажана на Слика 1. Од дното до врвот во правец Z, тоа е N-електрода, GAN Substrate, N-Type A1gan Долен затворен слој, N-Type HAN LOWER WAMBUIDE Layer, мулти-квантна бунар (MQW) активен регион, ненамерно дополнет со горниот дел од бранови, P-тип A1gan горен слој за затворање, P-тип GAN слој и P-електрода

Индексот на рефракција на материјалот на мулти-квантниот добро активен регион (MQWS) е највисок, а индексот на рефракција на материјалите од двете страни на активниот регион покажува тренд на намалување. Преку дистрибуцијата на индексот на рефракција на материјалот во Z насока со високо во средина и ниско над и подолу, светло поле во Z насока може да се ограничи помеѓу горните и долните брановидни слоеви. Во правец Y, дел од P-типот слој од двете страни на ласерот се отстранува со гравирање, а се депонира тенок слој на силикон диоксид (SiO2), на крајот формирајќи структура на гребенот. Индексот на рефракција на силикон диоксид и воздухот е помал од оној на слојот P-тип, така што индексот на рефракција во y насока е висок во средина и ниска од двете страни, а светло полето е ограничено на средината на гребенот. Поради ограничувачкиот ефект на насоките Y и Z на полето на светло, полето на светло во рамнината YZ претставува елипсовидна дистрибуција. Во насока X, површините на предната и задната празнина можат да се формираат со механичко расцепување или гравирање, а рефлексивноста на предните и задните шуплина може да се прилагоди со испарување на диелектричниот филм. Обично, рефлексивноста на површината на предната шуплина е помала од онаа на задната површина на шуплината за да се обезбеди дека ласерот се испушта од површината на предната шуплина.