Широкопојасен ласер Производители

1270nm DFB 10mW Butterfly ласерската диода се направени во херметички затворено 14-пинско пакување со пеперутка. Имаме и целосен избор на купувачи на излезни моќи, типови на пакети и излезни влакна од SM влакна, PM влакна и други специјални влакна, исто така можеме да ја прилагодиме брановата должина, покрива од 1270nm до 1650nm.

915nm 200W ласерски диоди со висока моќност со фибер-споен модул нуди до 200 вати CW оптичка излезна моќност во 106 или 200 микрометарски влакна. Овие уреди се засноваат на дизајн со единечен емитер со висока доверливост. Нивниот дизајн базиран на еден емитер обезбедува многу добра дисипација на топлина низ пакетот што доведува до одлични термички перформанси во текот на долг животен век. Напредните процеси за ефикасност на спојувањето им овозможуваат на овие модули да испорачуваат до 95% од нивната излезна моќност во рамките на 0,22 NA. Тие се испорачуваат со 1,5 метар (тип.) непрекинати прасечки влакна.

785nm 2W неоладен мултимоден ласерски диоден модул е ​​широко користен во лабораториско истражување за тестирање, ласерско пумпање, медицина, печатење, обработка на материјали.

1550nm Суперлуминисцентни диоди SLED се оптички извори со прилично широк оптички опсег. По тоа што тие се разликуваат од двата ласери, кои имаат многу тесен спектар, и изворите на бела светлина, кои покажуваат многу поголема спектрална ширина. Оваа карактеристика главно се рефлектира во ниската временска кохерентност на изворот (што е ограничената способност на емитираниот светлосен бран да ја одржува фазата со текот на времето). SLED сепак може да покаже висок степен на просторна кохерентност, што значи дека тие можат ефикасно да се спојат во едномодни оптички влакна. Некои апликации ја користат ниската временска кохерентност на SLED изворите за да постигнат висока просторна резолуција во техниките за сликање. Должината на кохерентност е количина која често се користи за да се карактеризира временската кохерентност на изворот на светлина. Тоа е поврзано со разликата на патеката помеѓу двата крака на оптичкиот интерферометар над кој светлосниот бран сè уште е способен да генерира шема на пречки.

500um InGaAs PIN фотодиодниот чип нуди извонреден одговор од 900nm до 1700nm, совршен за телекомуникација и блиска инфрацрвена детекција. Фотодиодата е совршена за апликации со висок пропусен опсег и активно усогласување.

Чип од 915 nm 12W на подмонт COS ласерска диода, кој користи AuSn спојување и пакет P Down со повеќекратни предности на висока доверливост, стабилна излезна моќност, висока моќност, висока ефикасност, долг животен век и висока компатибилност и се широко применети на пазарот.